產(chǎn)品特點(diǎn)
采用IGBT模塊做逆變單元,IGBT相對于可控硅來講,開關(guān)速度快,損耗低;
主回路采用串聯(lián)諧振。為電壓諧振,回路中電壓高,電流小,銅損少;
電源輸入端采用全橋不控整流,高次諧波小,對電網(wǎng)產(chǎn)生的污染和干擾少。
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因此IGBT中頻電源相對可控硅電源具有電源轉(zhuǎn)換效率高,感應(yīng)器發(fā)熱量小,不污染電網(wǎng),綜合節(jié)電可達(dá)到10%-30%。
主要參數(shù)
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